Pengertian Uni Junction Transistor dan Bipolar Junction Transistor


Uni Junction Transistor (UJT)
      
       Uni Junction Transistor merupakan suatu komponen elektronika semi konduktor yang memiliki tiga terminal dan hanya mempunyai satu pertemuan / sambungan. Seperti namanya, Uni Junction Transistor juga digolongkan sebagai salah satu anggota dari keluarga Transistor. UJT berbeda dengan Transistor Bipolar pada umumnya karena UJT tidak memiliki Terminal Kolektor (C). UJT  yang memiliki tiga terminal ini terdiri dari 1 Terminal Emitor (E), dan 2 Terminal Basis (B1 dan B2). 

       Pada dasarnya UJT terdiri dari semikonduktor jenis Silikon yang bertipe N yang didoping ringan dan sepotong Silikon bertipe P yang berukuran kecil dengan doping tinggi (berat) di satu sisinya untuk menghasilkan sambungan tunggal P-N (P-N Junction). Sambungan Tunggal inilah yang kemudian dijadikan terminologi UJT yaitu Uni Junction Transistor. Di kedua ujung batang silikon yang bertipe N, terdapat dua kontak Ohmik yang membentuk terminal B1 (Basis 1) dan B2 (Basis 2). Daerah Semi Konduktor yang bertipe P menjadi Terminal Emitor (E) pada UJT tersebut.





      Pada umumnya Uni Junction Transistor (UJT) ini digunakan pada beberapa aplikasi rangkaian elektronika seperti :
  • Osilator Relaksasi (Relaxation Oscillator).
  • Rangkaian Saklar Elektronik.
  • Sensor Magnetik Flux.
  • Rangkaian Pembatas Tegangan dan Arus listrik.
  • Osilator Bistabil (Bistable Oscillators).
  • Rangkaian Regulator Tegangan dan Arus Listrik.
  • Rangkaian Pengendali Fase (Phase Control Circuits).
Bipolar Junction Transistor (BJT)

    Bipolar Junction Transistor (BJT) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material semi konduktor terdoping yang dipisahkan oleh dua sambungan PN. Ketiga material semi konduktor tersebut dikenal dalam BJT sebagai Emitter, Base dan Collector. Daerah base merupakan semi konduktor dengan sedikit doping dan sangat tipis bila dibandingkan dengan emitter (doping paling banyak) maupun collector (semi konduktor berdoping sedang). 

    Karena struktur fisiknya yang seperti itu, terdapat dua jenis BJT. Tipe pertama terdiri dari dua daerah N yang dipisahkan oleh daerah P (NPN). Tipe lainnya terdiri dari dua daerah P yang dipisahkan oleh daerah N (PNP). Sambungan PN yang menghubungkan daerah base dan emitter dikenal sebagai sambungan base-emitter (base-emitter junction), sedangkan sambungan PN yang menghubungkan daerah base dan collector dikenal sebagai sambungan base-collector (base-collector junction). Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal base dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal collector. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.

       Gambar 1 menunjukkan dua jenis Bipolar Junction Transistor (BJT)



         Gambar 2 menunjukkan simbol skematik untuk bipolar junction transistor tipe NPN dan PNP. Istilah bipolar digunakan karena adanya elektron dan hole sebagai muatan pembawa (carriers) di dalam struktur transistor.










EmoticonEmoticon